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Benefitting from High-κ Spacer Engineering in Balistic Triple-Gate Junctionless FinFET- a Full Quantum Study
受益于弹道三栅无结FinFET中的高κ间隔区工程——一项全量子研究
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期刊:Silicon 作者:Nazanin Baghban Bousari; Mohammad K. Anvarifard; Saeed Haji‐Nasiri 出版日期:2019-11-26 |
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