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 The Effect of Indium Doping on Deep Level Defects and Electrical Properties of CdZnTe 铟掺杂对CdZnTe深能级缺陷和电学性能的影响
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期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Fan Yang; Wanqi Jie; Gangqiang Zha; Shouzhi Xi; Miao Wang; et al 出版日期：2019-10-18 |
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