Promotion of Processability in a p-Type Thin-Film Transistor Using a Se–Te Alloying Channel Layer

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标题	Promotion of Processability in a p-Type Thin-Film Transistor Using a Se–Te Alloying Channel Layer 利用A Se-Te合金沟道层提高p型薄膜晶体管的加工性能相关领域材料科学薄膜晶体管图层（电子）光电子学频道（广播）晶体管薄膜纳米技术晋升（国际象棋）工程物理电气工程电信计算机科学政治工程类电压法学政治学
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.3c18003
DOI	10.1021/acsami.3c18003 doi
其它	期刊：ACS applied materials & interfaces 作者：Kyunghee Choi; Sooji Nam; Min Su Kim; Himchan Oh; Inseo Kim; et al 出版日期：2024-04-26
求助人	xw 在 2024-05-10 09:52:46 发布自重庆，悬赏 10 积分
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