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Numerical analysis of the dislocation density in n-type 4H-SiC
n型4H-SiC中位错密度的数值分析
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位错
掺杂剂
压力(语言学)
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期刊:CrystEngComm 作者:Shan Lu; Hongyu Chen; Wei Hang; Julong Yuan; Rong Wang; et al 出版日期:2023-01-01 |
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