Si-Nanowire Based Gate-All-Around Nonvolatile SONOS Memory Cell

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标题	Si-Nanowire Based Gate-All-Around Nonvolatile SONOS Memory Cell 基于硅纳米线的全栅非易失性SONOS存储单元相关领域非易失性存储器光电子学材料科学量子隧道与非门纳米线电气工程硅氧化物集成电路电场纳米技术逻辑门物理工程类冶金量子力学
网址	https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/4494636
DOI	10.1109/LED.2008.920267 doi
求助人	婷婷在 2024-01-31 17:19:45 发布自四川，悬赏 10 积分
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