The impact of electron beam damage on the detection of indium-rich localisation centres in InGaN quantum wells using transmission electron microscopy

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标题	The impact of electron beam damage on the detection of indium-rich localisation centres in InGaN quantum wells using transmission electron microscopy 电子束损伤对透射电子显微镜探测InGaN量子阱中富铟定位中心的影响相关领域量子阱高分辨率透射电子显微镜材料科学铟透射电子显微镜阴极射线纳米电子二极管光电子学光学纳米技术物理激光器复合材料量子力学
网址	https://doi.org/10.1007/s10853-006-7876-x
DOI	10.1007/s10853-006-7876-x doi
其它	期刊：Journal of Materials Science 作者：T. M. Smeeton; C. J. Humphreys; J. S. Barnard; M. J. Kappers 出版日期：2006-04-17
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