标题 |
Impact of P-type doping and channel length on the performance of 2D SiC MOSFET
P型掺杂和沟道长度对2D SiC MOSFET性能的影响
相关领域
MOSFET
材料科学
兴奋剂
光电子学
电容
电压
电极
信道长度调制
电流(流体)
电气工程
晶体管
化学
工程类
物理化学
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