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 Studies on the Impedance Characteristics, Dielectric Relaxation, and ac Conductivity in Silicon Oxycarbide (SiOxCy:H) Films at the Amorphous-to-Nanocrystalline Transition Zone 非晶——纳米晶过渡区碳化硅薄膜的阻抗特性、介电弛豫和交流电导率的研究
相关领域
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期刊：ACS applied electronic materials 作者：Sukalyan Shyam; Debajyoti Das 出版日期：2022-08-08 |
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