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 RF loss reduction by a carbon-regulated Si substrate engineering in GaN-based HEMT buffer stacks GaN基HEMT缓冲层中碳调节Si衬底工程降低射频损耗
相关领域
材料科学
光电子学
高电子迁移率晶体管
基质（水族馆）
缓冲器（光纤）
制作
硅
晶体管
电气工程
医学
海洋学
地质学
工程类
病理
电压
替代医学
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Zidong Cai; Xuelin Yang; Zhaohua Shen; Cheng Ma; Zhenghao Chen; et al 出版日期：2023-07-24 |
| 求助人 | |
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