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 Dual-port ferroelectric NAND flash memory for large memory window, QLC programmable and disturbance-free operations 双端口铁电NAND闪存，适用于大存储窗口、QLC可编程和无干扰操作
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期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Hongrae Joh; Sang-Ho Lee; Jinho Ahn; Sanghun Jeon 出版日期：2024-01-01 |
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