Impurity Effects in the Growth of 4H-SiC Crystals by Physical Vapor Transport

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标题	Impurity Effects in the Growth of 4H-SiC Crystals by Physical Vapor Transport 物理气相传输法生长4H-SiC晶体中的杂质效应相关领域材料科学薄脆饼成核杂质晶体生长半导体光电子学纳米技术工程物理结晶学热力学化学物理有机化学工程类
网址	https://doi.org/10.1557/proc-572-245
DOI	10.1557/proc-572-245 doi
其它	期刊：MRS Proceedings 作者：V. Balakrishna; G. Augustine; R.H. Hopkins 出版日期：1999-01-01
求助人	5r 在 2025-02-11 15:40:39 发布自湖北，悬赏 10 积分
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