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 Single-Mask Implantation-Free Technique Based on Aperture Density Modulation for Termination in High-Voltage SiC Thyristors 基于孔径密度调制的高压SiC晶闸管端接无单掩模注入技术
相关领域
晶闸管
材料科学
调制（音乐）
光电子学
电压
光圈（计算机存储器）
电子工程
电气工程
物理
工程类
声学
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Hu Long; Hongyi Xu; Hengyu Wang; Na Ren; Qing Guo; et al 出版日期：2021-02-16 |
| 求助人 | |
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