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 Polycrystalline InGaO Thin‐Film Transistors with Coplanar Structure Exhibiting Average Mobility of ≈78 cm2 V‐1 s‐1 and Excellent Stability for Replacing Current Poly‐Si Thin‐Film Transistors for Organic Light‐Emitting Diode Displays 具有共面结构的多晶InGaO薄膜晶体管，表现出约78 cm2 v-1 s-1的平均迁移率和优异的稳定性，用于替代当前用于有机发光二极管显示器的多晶硅薄膜晶体管
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期刊：Small Methods 作者：Md. Hasnat Rabbi; Suhui Lee; Daichi Sasaki; Emi Kawashima; Yuki Tsuruma; et al 出版日期：2022-07-25 |
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