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Interface defects in HfO2, LaSiOx and Gd2O3 high-k/metal gate structures on silicon: Energy distribution and passivation
硅上HfO2、LaSiOx和Gd2O3高k/金属栅极结构中的界面缺陷：能量分布和钝化
相关领域
钝化 硅 材料科学 接口（物质） 工程物理 光电子学 能量（信号处理） 金属 计算机科学 冶金 纳米技术 图层（电子） 工程类 物理 复合材料 毛细管数 量子力学 毛细管作用
网址
https://research.chalmers.se/en/publication/67390
AI链接 chalmers.se
DOI
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其它 期刊：
作者：Paul K. Hurley; K. Cherkaoui; Eileen O’Connor; A.W. Groenland; Max C. Lemme; et al
出版日期：2007-01-01
求助人
Yuksn 在 2025-01-02 18:40:54 发布自福建，悬赏 10 积分
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