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 Laser emitters (λ = 808 nm) based on AlGaAs/GaAs heterostructures 基于AlGaAs/GaAs异质结构的激光发射体（λ=808 nm）
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期刊：Semiconductors 作者：А. А. Маrmalyuk; A. L. Andreev; V P Konyaev; М. А. Ладугин; E. Lebedeva; et al 出版日期：2014-01-01 |
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