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 Enhancement Mode β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 Heterostructure FET (HFET) With High Transconductance and Cutoff Frequency 高跨导高截止频率增强模式β-（AlxGa1-x）2O3/Ga2O3异质结构FET
相关领域
跨导
异质结
物理
光电子学
晶体管
量子力学
电压
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| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Abhishek Vaidya; Chinmoy Saha; Uttam Singisetti 出版日期：2021-08-11 |
| 求助人 | |
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