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 Low-Dispersion, High-Voltage, Low-Leakage GaN HEMTs on Native GaN Substrates 天然GaN衬底上的低色散、高电压、低泄漏GaN HEMT
相关领域
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期刊：I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者：Muhammad Alshahed; Lars Heuken; M. Alomari; Ildikó Cora; Lajos Tóth; et al 出版日期：2018-07-01 |
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