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标题
Initial growth control of GaN on Si with physical-vapor-deposition-AlN seed layer for high-quality GaN templates
用于高质量GaN模板的物理气相沉积AlN籽晶层在Si上GaN的初始生长控制
相关领域
三甲基镓 材料科学 阴极发光 金属有机气相外延 化学气相沉积 图层（电子） 蓝宝石 基质（水族馆） 光电子学 外延 沉积（地质） 位错 分析化学（期刊） 复合材料 光学 发光 化学 激光器 古生物学 海洋学 生物 地质学 物理 色谱法 沉积物
网址
https://doi.org/10.7567/apex.9.055503
DOI
10.7567/apex.9.055503 doi
其它 期刊：Applied Physics Express
作者：Hongbo Wang; Hassanet Sodabanlu; Yoshiaki Daigo; Takuya Seino; Takashi Nakagawa; et al
出版日期：2016-04-06
求助人
姜姜 在 2025-03-11 13:06:47 发布自北京，悬赏 10 积分
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