Analyzing the Influence of Source/Drain Growth Height and Lateral Growth Depth in FinFETs through XGBoost and SHAP

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标题	Analyzing the Influence of Source/Drain Growth Height and Lateral Growth Depth in FinFETs through XGBoost and SHAP 通过XGBoost和SHAP分析FinFET中源/漏生长高度和横向生长深度的影响相关领域光电子学材料科学工程物理环境科学地质学工程类
网址	https://doi.org/10.1109/led.2024.3449243
DOI	10.1109/led.2024.3449243 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Seungwon Lee; Hak Jun Ban; Jong Kyung Park; Dong Jin Ji; Seul Ki Hong 出版日期：2024-08-23
求助人	cchi 在 2025-03-12 09:49:11 发布自福建，悬赏 30 积分
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