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Analyzing the Influence of Source/Drain Growth Height and Lateral Growth Depth in FinFETs through XGBoost and SHAP

光电子学 材料科学 工程物理 环境科学 地质学 工程类
作者
Seungwon Lee,Hak Jun Ban,Jong Kyung Park,Dong Jin Ji,Seul Ki Hong
出处
期刊:IEEE Electron Device Letters [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:45 (10): 1714-1716
标识
DOI:10.1109/led.2024.3449243
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