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 Study on the Single Event Burnout Mechanism of $\beta$-Ga$_{\text{2}}$O$_{\text{3}}$ Schottky Barrier Diode Under Heavy Ion Irradiation 重离子辐照下$\beta$-Ga$_{\text{2}}$O$_{\text{3}}$肖特基势垒二极管单层燃尽机制研究
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Shaozhong Yue; Xuefeng Zheng; Fang Zhang; Runyu Zhang; Yehong Li; et al 出版日期：2024-01-01 |
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