Design of Ga2O3 Trench Gate MOSFET Devices with Dielectric Pillars

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标题	Design of Ga2O3 Trench Gate MOSFET Devices with Dielectric Pillars 介质柱Ga2O3沟槽栅MOSFET器件的设计相关领域沟槽 MOSFET 电介质光电子学栅极电介质材料科学电气工程纳米技术晶体管工程类电压图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6641/ad904b
DOI	10.1088/1361-6641/ad904b doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：T. C. Zhao; Fahad Azad; Yanrun Jia; Hanzhe Zhang; Chunyang Yang; et al 出版日期：2024-11-08
求助人	奕奕在 2024-12-30 18:03:30 发布自湖北，悬赏 10 积分
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