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Ionizing Radiation Effect on Memory Characteristics for HfO2-Based Ferroelectric Field-Effect Transistors
电离辐射对HfO2基铁电场效应晶体管存储特性的影响
相关领域
铁电性
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Kuen-Yi Chen; Yi‐Shan Tsai; Yung‐Hsien Wu 出版日期:2019-07-29 |
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