标题 |
Low-voltage (~1.3V), Arsenic Free Threshold Type Selector with Ultra High Endurance (> 10 11 ) for High Density 1S1R Memory Array
用于高密度1S1R存储器阵列的低电压(~1.3 V)、无砷阈值类型选择器,具有超高耐久性(>10 11)
相关领域
材料科学
硫系化合物
砷
光电子学
阈值电压
数据保留
低压
无定形固体
电压
电气工程
冶金
化学
工程类
晶体管
有机化学
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网址 |
AI链接 ieee.org |
DOI |
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其它 |
期刊:Symposium on VLSI Technology 作者:C. H. Wu; C. M. Lee; Y. S. Chen; H. Y. Lee; Elia Ambrosi; et al 出版日期:2021-06-13 |
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