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 Graphene Capping of Cu Back-End-of-Line Interconnects Reduces Resistance and Improves Electromigration Lifetime Cu后端互连的石墨烯封盖降低了电阻并提高了电迁移寿命
相关领域
石墨烯
电迁移
材料科学
电阻率和电导率
晶界
生产线后端
GSM演进的增强数据速率
光电子学
互连
接触电阻
电阻和电导
薄板电阻
纳米技术
复合材料
电气工程
微观结构
图层（电子）
电介质
工程类
电信
计算机科学
计算机网络
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期刊：ACS Applied Nano Materials 作者：Keun Wook Shin; Yeonchoo Cho; Seung‐Geol Nam; Alum Jung; Eun‐Kyu Lee; et al 出版日期：2023-03-14 |
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