Surface Charge Migration in SiC Power MOSFETs Induced by HVDC-H3TRB Testing

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标题	Surface Charge Migration in SiC Power MOSFETs Induced by HVDC-H3TRB Testing HVDC-H3TRB测试引起的SiC功率MOSFET表面电荷迁移相关领域碳化硅钝化材料科学扫描电子显微镜光电子学电容宽禁带半导体硅湿度 MOSFET 电气工程图层（电子）复合材料晶体管电压化学电极工程类物理物理化学热力学
网址	http://dx.doi.org/10.1109/IRPS48228.2024.10529461
DOI	10.1109/IRPS48228.2024.10529461 doi
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