Evolution of Crystal Quality and Stress in the Early Stages of GaN-on-Si (111) MOVPE with a Single AlN Buffer Layer

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标题	Evolution of Crystal Quality and Stress in the Early Stages of GaN-on-Si (111) MOVPE with a Single AlN Buffer Layer 具有单AlN缓冲层的GaN-on-Si（111）MOVPE早期晶体质量和应力的演变相关领域金属有机气相外延缓冲器（光纤）图层（电子）材料科学压力（语言学）单晶光电子学质量（理念）结晶学化学纳米技术计算机科学外延物理电信语言学哲学量子力学
网址	https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2024.113945
DOI	10.1016/j.vacuum.2024.113945 doi
其它	期刊：Vacuum 作者：Cai Liu; Hassanet Sodabanlu; Masakazu Sugiyama; Yoshiaki Nakano 出版日期：2024-12-01
求助人	Sue kong 在 2025-02-24 15:39:14 发布自江苏，悬赏 10 积分
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