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Direct Bandgap Control by Narrowing the Germanium Strip Structure on Silicon for C+L Band Photonic Devices
用于C+L波段光子器件的硅上锗带结构窄化直接带隙控制
相关领域
带隙
光致发光
材料科学
光子学
光电子学
物理
结晶学
化学
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期刊:IEEE Journal of Quantum Electronics 作者:Shuhei Sonoi; Riku Katamawari; Manami Shimokawa; Kyosuke Inaba; Jose A. Piedra-Lorenzana; et al 出版日期:2022-08-31 |
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