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 Hole mobility limiting factors in dopant-free p-type distributed polarization-doped AlGaN 无掺杂p型分布极化掺杂AlGaN中空穴迁移率的限制因素
相关领域
材料科学
掺杂剂
散射
兴奋剂
宽禁带半导体
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异质结
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Takeru Kumabe; Seiya Kawasaki; Hirotaka Watanabe; Yoshio Honda; Hiroshi Amano 出版日期：2023-06-19 |
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