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 Process challenges of the STRASS technique to increase the electron mobility in advanced FD-SOI nMOSFETs STRASS技术提高先进FD-SOI NMOSFET电子迁移率的工艺挑战
相关领域
材料科学
绝缘体上的硅
光电子学
薄脆饼
电子迁移率
硅
MOSFET
晶体管
应变硅
非晶硅
电气工程
电压
晶体硅
工程类
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期刊：MRS Advances 作者：F. Milesi; Philippe Rodriguez; L. D. Mohgouk Zouknakl; Laurent Brunet; Nguyet-Phuong Tran; et al 出版日期：2025-01-28 |
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