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 High Performance E-mode NiO/β-Ga2O3 HJ-FET with High Conduction Band Offset and Thin Recessed Channel 具有高导带偏移和薄凹沟道的高性能E模NiO/β-Ga2O3 HJ-FET
相关领域
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期刊：Micro and Nanostructures 作者：Jiaweiwen Huang; Wensuo Chen; Shenglei Zhao; Qisheng Yu; Aohang Zhang; et al 出版日期：2024-08-01 |
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