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Precise etching technique for InGaN/GaN nanostructure LEDs by combination of saturated ozone water oxidation and buffered oxide etching
饱和臭氧水氧化与缓冲氧化物刻蚀相结合的InGaN/GaN纳米结构LED精密刻蚀技术
相关领域
材料科学
纳米结构
发光二极管
蚀刻（微加工）
氧化物
臭氧
光电子学
纳米技术
冶金
化学
图层（电子）
有机化学
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期刊：The Japan Society of Applied Physics 作者：Kohei Ogawa; Shun Ishijima; Yusuke Namae; Akihiro Matsuoka; Tomoya Mizutani; et al 出版日期：2017-02-03 |
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