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标题
Superior NBTI in High-k SiGe Transistors–Part II: Theory
高k SiGe晶体管中的优良NBTI。第二部分：理论
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网址
https://doi.org/10.1109/ted.2017.2686454
DOI
10.1109/ted.2017.2686454 doi
其它 期刊：I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices
作者：Michael Waltl; G. Rzepa; Alexander Grill; Wolfgang Goes; J. Franco; et al
出版日期：2017-05-01
求助人
Channy 在 2024-05-15 16:11:04 发布自北京，悬赏 10 积分
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