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 Nanosized-Metal-Grain-Pattern-Dependent Threshold-Voltage Models for the Vertically Stacked Multichannel Gate-All-Around Si Nanosheet MOSFETs and Their Applications in Circuit Simulation 垂直堆叠多沟道全栅极硅纳米片MOSFET的纳米金属晶粒图案相关阈值电压模型及其在电路仿真中的应用
相关领域
算法
物理
计算机科学
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期刊：I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者：Wen-Li Sung; Yiming Li; Min-Hui Chuang 出版日期：2024-01-01 |
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