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Low-temperature characteristics and gate leakage mechanisms of LPCVD-SiNx/AlGaN/GaN MIS-HEMTs
LPCVD-SiNx/AlGaN/GaN MIS-HEMTs的低温特性及栅漏机理
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期刊:Journal of Physics D: Applied Physics 作者:Hui Guo; Pengfei Shao; Hua Bai; Jing Zhou; Yanghu Peng; et al 出版日期:2022-08-19 |
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