Heterojunction p-Cu2O/n-Ga2O3 diode with high breakdown voltage

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标题	Heterojunction p-Cu2O/n-Ga2O3 diode with high breakdown voltage 高击穿电压p-Cu2O/n-Ga2O3异质结二极管相关领域二极管肖特基二极管异质结材料科学光电子学击穿电压反向漏电流肖特基势垒等效串联电阻宽禁带半导体带偏移量外延带隙电压图层（电子）电气工程价带纳米技术工程类
网址	https://doi.org/10.1063/1.4998311
DOI	10.1063/1.4998311 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Tatsuro Watahiki; Yohei Yuda; Akihiko Furukawa; Mikio Yamamuka; Yuki Takiguchi; et al 出版日期：2017-11-27
求助人	半导体物理在 2025-04-21 20:50:26 发布自福建，悬赏 10 积分
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