Analytical model for the drain and gate currents in silicon nanowire and nanosheet MOS transistors valid between 300 and 500 K

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标题	Analytical model for the drain and gate currents in silicon nanowire and nanosheet MOS transistors valid between 300 and 500 K 硅纳米线和纳米片MOS晶体管漏极和栅极电流的解析模型在300~500 K之间有效相关领域纳米片硅纳米线材料科学纳米线晶体管硅光电子学纳米技术电气工程工程类电压
网址	https://doi.org/10.1002/jnm.3219
DOI	10.1002/jnm.3219 doi
其它	期刊：International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields 作者：A. Cerdeira; M. Estrada; Michelly de Souza; Marcelo Antonio Pavanello 出版日期：2024-02-23
求助人	Et3rnity 在 2024-09-26 14:32:55 发布自安徽，悬赏 10 积分
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