| 标题 |
 Understanding the Memory Window Overestimation of 2D Materials Based Floating Gate Type Memory Devices by Measuring Floating Gate Voltage 通过测量浮栅电压理解基于2D材料的浮栅型存储器件的存储器窗口高估
相关领域
非易失性存储器
材料科学
电压
光电子学
电容耦合
阈值电压
传输（计算）
电气工程
计算机科学
晶体管
工程类
并行计算
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Small 作者：Taro Sasaki; Keiji Ueno; Takashi Taniguchi; Kenji Watanabe; Tomonori Nishimura; et al 出版日期：2020-11-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
毛豆
丰知然
彭于彦祖
杳鸢
嘉心糖
yar
嗯哼
Billy
Ganlou
坚强的广山
我不爱池鱼
从容芮
mhl11
123
子车茗
cocolu
张益萌
z3Q
爱静静
shinysparrow
皖公网安备34019202002308
