Origin of the electrical instabilities in GaN/AlGaN double-barrier structure

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标题	Origin of the electrical instabilities in GaN/AlGaN double-barrier structure GaN/AlGaN双势垒结构电不稳定性的成因相关领域量子隧道磁滞二极管材料科学宽禁带半导体电流（流体）凝聚态物理电阻率和电导率电子光电子学物理量子力学热力学
网址	https://doi.org/10.1063/1.3645011
DOI	10.1063/1.3645011 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：S. Sakr; E. Warde; Maria Tchernycheva; Lorenzo Rigutti; N. Isac; et al 出版日期：2011-10-03
求助人	木本在 2024-12-25 13:33:20 发布自广东，悬赏 10 积分
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