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 A comprehensive analysis of AlN spacer and AlGaN n-doping effects on the 2DEG resistance in AlGaN/AlN/GaN heterostructures AlN间隔层和AlGaN n掺杂对AlGaN/AlN/GaN异质结构2DEG电阻影响的综合分析
相关领域
异质结
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兴奋剂
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期刊：Solid-State Electronics 作者：C. Piotrowicz; B. Mohamad; B. Rrustemi; Nathalie Malbert; M.-A. Jaud; et al 出版日期：2022-04-21 |
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