Progress of power field effect transistor based on ultra-wide bandgap Ga2O3semiconductor material

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标题	Progress of power field effect transistor based on ultra-wide bandgap Ga2O3semiconductor material 基于Ga2O3超宽带隙半导体材料的功率场效应晶体管研究进展相关领域材料科学半导体光电子学带隙场效应晶体管晶体管超低功耗宽禁带半导体领域（数学）功率（物理）工程物理电气工程物理功率消耗工程类电压数学量子力学纯数学
网址	https://doi.org/10.1088/1674-4926/40/1/011802
DOI	10.1088/1674-4926/40/1/011802 doi
其它	期刊：Journal of Semiconductors 作者：Hang Dong; Huijun Xue; Qiming He; Yuan Qin; Guangzhong Jian; et al 出版日期：2019-01-01
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