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 High breakdown GaN HEMT with overlapping gate structure 具有重叠栅极结构的高击穿GaN HEMT
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宽禁带半导体
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：N.-Q. Zhang; S. Keller; Giacinta Parish; S. Heikman; Steven P. DenBaars; et al 出版日期：2000-09-01 |
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