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 Properties of II–VI semiconductors associated with moving dislocations 与运动位错相关的II-VI半导体的性质
相关领域
材料科学
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电子
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半导体
电场
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期刊：Advances In Physics 作者：Yu. A. Osip’yan; Victor F. Petrenko; A. V. Zaretskii; R. W. Whitworth 出版日期：1986-01-01 |
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