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标题
Sidewall Dislocations in Embedded SiGe Source/Drain Areas of MOSFETs and Their Impact on the Device Performance
MOSFET SiGe源/漏区的侧壁位错及其对器件性能的影响
相关领域
PMOS逻辑 材料科学 光电子学 晶体管 MOSFET 工程物理 散射 应力松弛 压力（语言学） 电气工程 复合材料 电压 工程类 光学 物理 语言学 蠕动 哲学
网址
https://doi.org/10.1149/1.2355866
DOI
10.1149/1.2355866 doi
其它 期刊：ECS Transactions
作者：Thorsten Kammler; Igor Peidous; Andy Wei; Carsten Reichel; Stefan H. Heinemann; et al
出版日期：2006-10-20
求助人
Kevin 在 2024-12-15 11:19:13 发布自北京，悬赏 10 积分
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