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 A new adaptive resurf concept for 20 V LDMOS without breakdown voltage degradation at high current 20 V LDMOS大电流无击穿电压衰减的自适应resurf新概念
相关领域
LDMOS
击穿电压
电气工程
材料科学
功率MOSFET
电压
降级（电信）
光电子学
高压
图层（电子）
MOSFET
工程类
晶体管
复合材料
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期刊：Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs. ISPSD'98 (IEEE Cat. No.98CH36212) 作者：K. Kinoshita; Y. Kawaguchi; A. Nakagawa 出版日期：2002-11-27 |
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