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 Efficient stress relief in GaN heteroepitaxy on Si(111) using low-temperature AlN interlayers 利用低温AlN夹层在Si（111）上GaN异质外延中的有效应力消除
相关领域
材料科学
应力松弛
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压力（语言学）
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：A. Reiher; J. Bläsing; A. Dadgar; A. Diez; A. Krost 出版日期：2002-12-28 |
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