Monolithic integration of light-emitting diodes and power metal-oxide-semiconductor channel high-electron-mobility transistors for light-emitting power integrated circuits in GaN on sapphire substrate

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标题	Monolithic integration of light-emitting diodes and power metal-oxide-semiconductor channel high-electron-mobility transistors for light-emitting power integrated circuits in GaN on sapphire substrate 用于蓝宝石衬底GaN发光功率集成电路的发光二极管和功率金属氧化物半导体沟道高电子迁移率晶体管的单片集成相关领域光电子学材料科学高电子迁移率晶体管发光二极管晶体管氮化镓二极管外延半导体蓝宝石宽禁带半导体电压电气工程纳米技术光学激光器图层（电子）工程类物理
网址	https://doi.org/10.1063/1.4807125
DOI	10.1063/1.4807125 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Zhongda Li; John Waldron; Theeradetch Detchprohm; Christian Wetzel; R. F. Karlicek; et al 出版日期：2013-05-13
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