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 Monolithically Integrated Logic Circuits Based on p-NiO Gated E-Mode GaN HEMTs 基于p-NiO门控E型GaN HEMT的单片集成逻辑电路
相关领域
光电子学
材料科学
逻辑门
电子线路
氮化镓
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宽禁带半导体
高电子迁移率晶体管
集成电路
电子工程
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电气工程
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Chuanqi Pan; Xinxin Yu; Fan Li; Hehe Gong; Denggui Wang; et al 出版日期：2024-02-01 |
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