| 标题 |
 Monolithically Integrated Logic Circuits Based on p-NiO Gated E-Mode GaN HEMTs 基于p-NiO门控E型GaN HEMT的单片集成逻辑电路
相关领域
光电子学
材料科学
逻辑门
电子线路
氮化镓
模式（计算机接口）
宽禁带半导体
高电子迁移率晶体管
集成电路
电子工程
非阻塞I/O
电气工程
计算机科学
晶体管
工程类
电压
纳米技术
化学
图层（电子）
催化作用
操作系统
生物化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Chuanqi Pan; Xinxin Yu; Fan Li; Hehe Gong; Denggui Wang; et al 出版日期：2024-02-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
嗯哼
无忧
Singularity
坚强的广山
热心市民小红花
张三坟
shinysparrow
吃不饱星球球长
kento
李神奇
Ally
张思梦
从容芮
豆子
毛豆爸爸
xiaoyun2852
Jasper
寻道图强
不懈奋进
rosalieshi
皖公网安备34019202002308
