| 标题 |
 Stress engineering with AlN/GaN superlattices for epitaxial GaN on 200 mm silicon substrates using a single wafer rotating disk MOCVD reactor 使用单晶片旋转盘MOCVD反应器在200 mm硅衬底上外延GaN的AlN/GaN超晶格的应力工程
相关领域
材料科学
金属有机气相外延
外延
薄脆饼
光电子学
超晶格
硅
压力（语言学）
复合材料
语言学
哲学
图层（电子）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of materials research/Pratt's guide to venture capital sources 作者：Jie Su; E. Armour; Balakrishnan Krishnan; Soo Min Lee; George D. Papasouliotis 出版日期：2015-08-07 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
薰硝壤
不配.
Leonardi
彭于彦祖
pcr163
shinysparrow
五十一笑声
Henry
马大翔
Miller
加菲丰丰
顺利的伊
starofjlu
quhayley
25号底片
爱静静
科研文献搬运工
寻道图强
竹筏过海
宜醉宜游宜睡
皖公网安备34019202002308
