Engineering Breakdown Probability Profile for PDP and DCR Optimization in a SPAD Fabricated in a Standard 55 nm BCD Process

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标题	Engineering Breakdown Probability Profile for PDP and DCR Optimization in a SPAD Fabricated in a Standard 55 nm BCD Process 在标准55 nm BCD工艺中制造的SPAD中PDP和DCR优化的工程击穿概率分布相关领域 CMOS芯片噪音（视频）计算机科学算法电子工程工程类人工智能图像（数学）
网址	https://doi.org/10.1109/jstqe.2021.3114346
DOI	10.1109/jstqe.2021.3114346 doi
其它	期刊：IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 作者：Francesco Gramuglia; Pouyan Keshavarzian; Ekin Kizilkan; Claudio Bruschini; Shyue Seng Tan; et al 出版日期：2022-03-01
求助人	lbt1686666 在 2024-08-15 10:25:10 发布自浙江，悬赏 10 积分
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